通富微電12月21日在互動平臺表示，在存儲器領(lǐng)域，公司多層堆疊NAND Flash及LPDDR封裝實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，同時在國內(nèi)首家完成基于TSV技術(shù)的3DS DRAM封裝開發(fā)，助推公司進(jìn)階成為更有競爭力的存儲器封裝企業(yè)。
通富微電12月21日在互動平臺表示，在存儲器領(lǐng)域，公司多層堆疊NAND Flash及LPDDR封裝實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，同時在國內(nèi)首家完成基于TSV技術(shù)的3DS DRAM封裝開發(fā)，助推公司進(jìn)階成為更有競爭力的存儲器封裝企業(yè)。
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